IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是一种混合了MOSFET和BJT（双极性晶体管）优点的半导体器件，广泛用于高效能电力电子转换中，如逆变器、开关电源和电动机控制系统。它结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性。

IGBT工作原理可以分为两个主要部分：导通状态和关断状态。

1. 导通状态

IGBT的结构包括一个MOSFET的栅极（Gate）和一个BJT的集电极（Collector）-发射极（Emitter）。其导通过程类似于MOSFET的工作原理，当给栅极施加足够的正向电压时，栅极和发射极之间的电场作用会让MOSFET部分导通，进而驱动双极型晶体管（BJT）的基极，使得BJT导通，电流从集电极流向发射极。这时IGBT处于导通状态，可以传导较大的电流。

导通时，IGBT的栅极几乎不消耗电流（类似于MOSFET），但集电极到发射极的电流则由BJT的特性主导，因此在导通时电压降较低，导通损耗较小。

2. 关断状态

当栅极电压变为负值或零时，MOSFET部分首先关断，从而中断双极型晶体管的基极电流。没有基极电流的支持，BJT会迅速关断，使得IGBT整体进入关断状态，集电极到发射极的电流停止流动。

由于IGBT的双极特性，在关断过程中会有一定的存储电荷效应，这会导致关断时的延迟，但现代IGBT已经通过优化设计减小了这个问题。

IGBT的主要特点：

1. 高输入阻抗：IGBT的栅极类似于MOSFET，输入阻抗很高，因此只需很小的栅极电流便可驱动，易于控制。

2. 低导通损耗：由于IGBT在导通时表现为BJT的工作特性，其导通损耗较低，特别适用于大电流应用。

3. 适用于高电压和大电流场合：IGBT常用于电力电子设备中，适合中高压、大电流的应用环境。

总结来说，IGBT通过将MOSFET和BJT的优点结合在一起，在高效能电力电子应用中实现了高电流开关和低损耗操作。