第一电路设计。让
mos管工作在线性工作状态，而不是开关状态。如果用N-mos做开关，G电平电压要比电源高几V才能完全导通，P-mos则相反。不完全打开导致压降过大导致功耗，等效DC阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就是发热。
第二，工作频率。这是调试过程中常见的现象，降频主要是两个方面造成的。输入电压与负载电压之比小，系统干扰大。对于前者，请注意不要将负载电压设置得太高，尽管负载电压高时效率会更高。对于后者，可以尝试以下几个方面:
1.将最小电流设置为较小的值。
2.清洁布线，尤其是关键的传感路径。
3.选择电感的小点或闭合磁路的电感。
4.加RC低通滤波器，这个效果有点差，C的一致性也不好，偏差有点大，不过应该够照明了。无论如何，降频没有好处，只有坏处，所以必须解决。
有时候mos管的频率太高，主要是对体积的过分追求，导致频率增加，mos管上的损耗增加，所以发热也增加。
第三，散热设计。电路板散热设计不好，电流过大。mos管的标称电流值一般需要散热好。因此，如果ID小于额定电流，则热量可能严重，需要足够的辅助散热器。
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