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        0769-21665206
        
		          
        137-2836-0298
        
				  
		        
        
				 
        
			      	CNEN
			      
        
		      
        
			 
		
        
		
		
		
	 
        	


        
		
		
		
        
		        
        鼎坚
        
				
        
					
        
        
     
    
        
		    
        
			
    
	

        








        

    
        

        

    
        


        



        
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        锐骏低压mos的选型
        
        
        
            
        低压MOSFET快速替代的时候遵循以下5点：
        
	1，匹配封装
        
	2，沟道类型（NMOS、PMOS）
        
	3，电压Vds
        
	4，内阻RDS(on)-----要注意在同样的VGS(TH)测试条件下对比
        
	5，阀值电压VGS(TH)
        
	6，匹配栅极电荷量Qg，或者电容Ciss,Coss,Crss（会影响开关损耗）-----低压MOS对此类参数要求并不高，如果客户应用开关频率较高，需要确认开关速度越快优点是开关损耗越小，效率高，温升低。对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高
        
	以下是MOSFET主要参数：
        
	VDS：漏源电压（VDSS）Drain to Source Voltage DS未发生击穿前所能施加的最大电压。VDS一定要留余量，为了考虑低温时，和恶劣条件下开关机的VDS电压尖峰。
        
	ID：连续电流 Continuous Drain Current 漏源最大单脉冲电流，也称连续电流。条件是在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高，温度下，ID会随温度的升高而降低
        
	VGS 栅漏电压 Gate to Source Voltage 最大GS电压. 指在GS两极间可以放加的最大电压。
        
	VGS(th) 开启电压 Gate threshold voltage 这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压，标记为Vgs(th)，一般N-MOSFET的话，这个电压一般是2-4V之间。
        
	Rds(on) 导通电阻 Drain to source on state resistance 越小越好，直接决定MOSFET的导通损耗，Tj增加Rds(on)增大，即是正温度系数
        
	PD 最大耗散功率 Total power dissipation 越大越好
        
	Tj 最大工作结温 通常为150度和175度
        
	Fm 最高工作频率 最高工作频率,当工作频率超过某一值时，它的单向导电性变差。肖特基的Fm值较高，最大可达100GHz。
        
	Trr 反向恢复时间 当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际一般要延迟一点时间，决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。这个值不一定小就好，要合适。
        
	Qg 栅极总充电电量 Total gate charge
        
	Ciss 输入电容 Input capacitance 输入电容 =Cgs+Cgd ，该参数影响到MOSFET的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越慢，开关损耗也就越大，这也是在电源电路中要加加速电路的原因，但较慢的开关速度对应的会带来较好的EMI特性
        
	Coss 输出电容 Output capacitance 输入电容 =Cds+Cgd
        
	Crss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance 反向传输电容 =Cgd（米勒电容），影响漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响
        
				Trench MOSFET
        N-MOSFET Catalog (VDS:N40V-N55V)
        
				Part NO.
				Channel
				ESD Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃
				RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				10V
				4.5V
				2.5V
        
				RU3560L
				N
				N
				40
				1.5-2.5
				50
				13
				18
				　
				TO-252
        
				RU4090L
				N
				N
				40
				2-4
				90
				4
				　
				　
				TO-252
        
				RU4030M2
				N
				N
				40
				1-2.5
				30
				11
				14
				　
				DFN3333
        
				RU40120R
				N
				N
				40
				2-4
				120
				3.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU40120M
				N
				N
				40
				2-4
				120
				2.7
				　
				　
				DFN5060
        
				RU40120S
				N
				N
				40
				2-4
				120
				3.5
				　
				　
				TO-263
        
				RU40150R
				N
				N
				40
				2-4
				150
				3
				　
				　
				TO-220
        
				RU40190R
				N
				N
				40
				2-4
				190
				2.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU40191S
				N
				N
				40
				2-4
				190
				1.8
				　
				　
				TO-263
        
				RU55110R
				N
				N
				55
				2-4
				110
				5
				　
				　
				TO-220
        
				Trench MOSFET
        N-MOSFET Catalog (VDS:N60V-N68V)
        
				Part NO.
				Channel
				ESD  Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃
				RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				10V
				4.5V
				2.5V
        
				2N7002EB
				N
				Y
				60
				1.35
				0.2
				2500
				2500
				　
				SOT23
        
				RU60D5H
				Dual-N
				Y
				60
				1-2.5
				5.4
				32
				40
				　
				SOP-8
        
				RU60E16L
				N
				Y
				60
				1.5-2.7
				16
				60
				75
				　
				TO-252
        
				RU60E25L
				N
				Y
				60
				1.5-2.7
				25
				35
				42
				　
				TO-252
        
				RU602B
				N
				N
				60
				2-4
				1.5
				220
				　
				　
				SOT23
        
				RU60D10H
				Dual-N
				N
				60
				1-3
				10
				20
				22
				　
				SOP-8
        
				RU6035M3
				N
				N
				65
				1-2.5
				30
				18
				20
				　
				DFN3030
        
				RU6050L
				N
				N
				60
				2-4
				50
				10
				　
				　
				TO-252
        
				RU6055L
				N
				N
				60
				2-4
				60
				10
				　
				　
				TO-252
        
				RU6888M
				N
				N
				60
				2-4
				62
				7
				 
				 
				DFN5060
        
				RU6070L-A
				N
				N
				60
				2-4
				70
				6
				　
				　
				TO-252
        
				RU6080L
				N
				N
				60
				2-4
				80
				7
				　
				　
				TO-252
        
				RU6085H
				N
				N
				60
				1-3
				20
				6
				6.5
				　
				SOP-8
        
				RU6099R
				N
				N
				60
				2-4
				120
				6
				　
				　
				TO-220
        
				RU6099S
				N
				N
				60
				2-4
				120
				6
				　
				　
				TO-263
        
				RU6199S
				N
				N
				60
				2-4
				200
				2.8
				　
				　
				TO-263
        
				RU6199R
				N
				N
				60
				2-4
				200
				2.8
				　
				　
				TO-220
        
				RU60200R
				N
				N
				60
				2-4
				230
				2.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU6888R
				N
				N
				68
				2-4
				88
				6
				　
				　
				TO-220
        
				RU6888S
				N
				N
				68
				2-4
				88
				6
				　
				　
				TO-263
        
				Trench MOSFET
        N-MOSFET Catalog (VDS:N70V-N85V)
        Part NO.
				Channel
				ESD  Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃
				RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				10V
				4.5V
				2.5V
        
				RU7080L
				N
				N
				70
				2-4
				80
				5.7
				　
				　
				TO-252
        
				RU7080R
				N
				N
				70
				2-4
				80
				7
				　
				　
				TO-220
        
				RU7080S
				N
				N
				70
				2-4
				80
				7
				　
				　
				TO-263
        
				RU7088R
				N
				N
				70
				2-4
				80
				6.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU7570L
				N
				N
				75
				2-4
				70
				9
				　
				　
				TO-252
        
				RU75N08R
				N
				N
				75
				2-4
				80
				8
				　
				　
				TO-220
        
				RU75N08S-AR
				N
				N
				75
				2-4
				80
				8
				　
				　
				TO-263
        
				RU75N08L
				N
				N
				75
				2-4
				80
				8
				　
				　
				TO-252
        
				RU75110R
				N
				N
				75
				2-4
				110
				5.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU75110S
				N
				N
				75
				2-4
				110
				5.5
				　
				　
				TO-263
        
				RU75230S
				N
				N
				75
				2-4
				230
				2.6
				　
				　
				TO-263
        
				RU7588R
				N
				N
				80
				2-4
				80
				7
				　
				　
				TO-220
        
				RU190N08R
				N
				N
				80
				2-4
				190
				3.9
				　
				　
				TO-220
        
				RU190N08S
				N
				N
				80
				2-4
				190
				3.9
				　
				　
				TO-263
        
				RU8590R
				N
				N
				85
				2-4
				90
				5.8
				　
				　
				TO-220
        
				RU8590S
				N
				N
				85
				2-4
				90
				5.8
				　
				　
        
					TO-263
        
				Trench MOSFET
        N-MOSFET Catalog (VDS:N100V-N200V)
        Part NO.
				Channel
				ESD  Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃
				RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				10V
				4.5V
				2.5V
        
				RU1HE12L
				N
				Y
				100
				1.5-2.7
				12
				145
				160
				　
				TO-252
        
				RU1HE16L
				N
				Y
				100
				1.5-2.7
				16
				70
				85
				　
				TO-252
        
				RU1H35L
				N
				N
				100
				2-4
				40
				21
				　
				　
				TO-252
        
				RU1H35S
				N
				N
				100
				2-4
				40
				21
				　
				　
				TO-263
        
				RU1H35R
				N
				N
				100
				2-4
				40
				21
				　
				　
				TO-220
        
				RU3710S
				N
				N
				100
				2-4
				60
				14
				　
				　
				TO-263
        
				RU3710R
				N
				N
				100
				2-4
				60
				14
				　
				　
				TO-220
        
				RU1H180R
				N
				N
				100
				2-4
				180
				4.5
				　
				　
				TO-220
        
	 
        
            
        
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        低压MOSFET快速替代的时候遵循以下5点：
        
	1，匹配封装
        
	2，沟道类型（NMOS、PMOS）
        
	3，电压Vds
        
	4，内阻RDS(on)-----要注意在同样的VGS(TH)测试条件下对比
        
	5，阀值电压VGS(TH)
        
	6，匹配栅极电荷量Qg，或者电容Ciss,Coss,Crss（会影响开关损耗）-----低压MOS对此类参数要求并不高，如果客户应用开关频率较高，需要确认开关速度越快优点是开关损耗越小，效率高，温升低。对应的缺点是EMI特性差，MOSFET关断尖峰过高
        
	以下是MOSFET主要参数：
        
	VDS：漏源电压（VDSS）Drain to Source Voltage DS未发生击穿前所能施加的最大电压。VDS一定要留余量，为了考虑低温时，和恶劣条件下开关机的VDS电压尖峰。
        
	ID：连续电流 Continuous Drain Current 漏源最大单脉冲电流，也称连续电流。条件是在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高，温度下，ID会随温度的升高而降低
        
	VGS 栅漏电压 Gate to Source Voltage 最大GS电压. 指在GS两极间可以放加的最大电压。
        
	VGS(th) 开启电压 Gate threshold voltage 这个电压是指MOS管中开始形成导电沟道所需要的GS之间的电压，标记为Vgs(th)，一般N-MOSFET的话，这个电压一般是2-4V之间。
        
	Rds(on) 导通电阻 Drain to source on state resistance 越小越好，直接决定MOSFET的导通损耗，Tj增加Rds(on)增大，即是正温度系数
        
	PD 最大耗散功率 Total power dissipation 越大越好
        
	Tj 最大工作结温 通常为150度和175度
        
	Fm 最高工作频率 最高工作频率,当工作频率超过某一值时，它的单向导电性变差。肖特基的Fm值较高，最大可达100GHz。
        
	Trr 反向恢复时间 当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际一般要延迟一点时间，决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。这个值不一定小就好，要合适。
        
	Qg 栅极总充电电量 Total gate charge
        
	Ciss 输入电容 Input capacitance 输入电容 =Cgs+Cgd ，该参数影响到MOSFET的开关时间，Ciss越大，同样驱动能力下，开通及关断时间就越慢，开关损耗也就越大，这也是在电源电路中要加加速电路的原因，但较慢的开关速度对应的会带来较好的EMI特性
        
	Coss 输出电容 Output capacitance 输入电容 =Cds+Cgd
        
	Crss 反向传输电容 Reverse transfer capacitance 反向传输电容 =Cgd（米勒电容），影响漏极有异常高电压时，传输到MOSFET栅极电压能量的大小，会对雷击测试项目有一定影响
        
				Trench MOSFET
        
				P-MOSFET Catalog
        Part NO.
				Channel
				ESD Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				-10V
				-4.5V
				-2.5V
        
				RU3415EB
				P
				Y
				-20
				-1--0.4
				-4
				　
				38
				50
				SOT23
        
				RU20P7C
				P
				N
				-20
				-1.1--0.4
				-5
				　
				20
				30
				SOT23-3
        
				RU20P7C6
				P
				N
				-20
				-1.1--0.4
				-5
				　
				20
				30
				SOT23-6
        
				RU20P17M2
				P
				N
				-20
				-1.1--0.4
				-9.3
				　
				16
				28
				DFN3333
        
				RU20P3B
				P
				N
				-20
				-1--0.5
				-3
				　
				80
				110
				SOT23
        
                
        

    





        
				Trench MOSFET
        N-MOSFET Catalog (VDS:N40V-N55V)
        
				Part NO.
				Channel
				ESD Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃
				RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				10V
				4.5V
				2.5V
        
				RU3560L
				N
				N
				40
				1.5-2.5
				50
				13
				18
				　
				TO-252
        
				RU4090L
				N
				N
				40
				2-4
				90
				4
				　
				　
				TO-252
        
				RU4030M2
				N
				N
				40
				1-2.5
				30
				11
				14
				　
				DFN3333
        
				RU40120R
				N
				N
				40
				2-4
				120
				3.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU40120M
				N
				N
				40
				2-4
				120
				2.7
				　
				　
				DFN5060
        
				RU40120S
				N
				N
				40
				2-4
				120
				3.5
				　
				　
				TO-263
        
				RU40150R
				N
				N
				40
				2-4
				150
				3
				　
				　
				TO-220
        
				RU40190R
				N
				N
				40
				2-4
				190
				2.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU40191S
				N
				N
				40
				2-4
				190
				1.8
				　
				　
				TO-263
        
				RU55110R
				N
				N
				55
				2-4
				110
				5
				　
				　
				TO-220
        
				Trench MOSFET
        N-MOSFET Catalog (VDS:N60V-N68V)
        
				Part NO.
				Channel
				ESD  Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃
				RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				10V
				4.5V
				2.5V
        
				2N7002EB
				N
				Y
				60
				1.35
				0.2
				2500
				2500
				　
				SOT23
        
				RU60D5H
				Dual-N
				Y
				60
				1-2.5
				5.4
				32
				40
				　
				SOP-8
        
				RU60E16L
				N
				Y
				60
				1.5-2.7
				16
				60
				75
				　
				TO-252
        
				RU60E25L
				N
				Y
				60
				1.5-2.7
				25
				35
				42
				　
				TO-252
        
				RU602B
				N
				N
				60
				2-4
				1.5
				220
				　
				　
				SOT23
        
				RU60D10H
				Dual-N
				N
				60
				1-3
				10
				20
				22
				　
				SOP-8
        
				RU6035M3
				N
				N
				65
				1-2.5
				30
				18
				20
				　
				DFN3030
        
				RU6050L
				N
				N
				60
				2-4
				50
				10
				　
				　
				TO-252
        
				RU6055L
				N
				N
				60
				2-4
				60
				10
				　
				　
				TO-252
        
				RU6888M
				N
				N
				60
				2-4
				62
				7
				 
				 
				DFN5060
        
				RU6070L-A
				N
				N
				60
				2-4
				70
				6
				　
				　
				TO-252
        
				RU6080L
				N
				N
				60
				2-4
				80
				7
				　
				　
				TO-252
        
				RU6085H
				N
				N
				60
				1-3
				20
				6
				6.5
				　
				SOP-8
        
				RU6099R
				N
				N
				60
				2-4
				120
				6
				　
				　
				TO-220
        
				RU6099S
				N
				N
				60
				2-4
				120
				6
				　
				　
				TO-263
        
				RU6199S
				N
				N
				60
				2-4
				200
				2.8
				　
				　
				TO-263
        
				RU6199R
				N
				N
				60
				2-4
				200
				2.8
				　
				　
				TO-220
        
				RU60200R
				N
				N
				60
				2-4
				230
				2.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU6888R
				N
				N
				68
				2-4
				88
				6
				　
				　
				TO-220
        
				RU6888S
				N
				N
				68
				2-4
				88
				6
				　
				　
				TO-263
        
				Trench MOSFET
        N-MOSFET Catalog (VDS:N70V-N85V)
        Part NO.
				Channel
				ESD  Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃
				RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				10V
				4.5V
				2.5V
        
				RU7080L
				N
				N
				70
				2-4
				80
				5.7
				　
				　
				TO-252
        
				RU7080R
				N
				N
				70
				2-4
				80
				7
				　
				　
				TO-220
        
				RU7080S
				N
				N
				70
				2-4
				80
				7
				　
				　
				TO-263
        
				RU7088R
				N
				N
				70
				2-4
				80
				6.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU7570L
				N
				N
				75
				2-4
				70
				9
				　
				　
				TO-252
        
				RU75N08R
				N
				N
				75
				2-4
				80
				8
				　
				　
				TO-220
        
				RU75N08S-AR
				N
				N
				75
				2-4
				80
				8
				　
				　
				TO-263
        
				RU75N08L
				N
				N
				75
				2-4
				80
				8
				　
				　
				TO-252
        
				RU75110R
				N
				N
				75
				2-4
				110
				5.5
				　
				　
				TO-220
        
				RU75110S
				N
				N
				75
				2-4
				110
				5.5
				　
				　
				TO-263
        
				RU75230S
				N
				N
				75
				2-4
				230
				2.6
				　
				　
				TO-263
        
				RU7588R
				N
				N
				80
				2-4
				80
				7
				　
				　
				TO-220
        
				RU190N08R
				N
				N
				80
				2-4
				190
				3.9
				　
				　
				TO-220
        
				RU190N08S
				N
				N
				80
				2-4
				190
				3.9
				　
				　
				TO-263
        
				RU8590R
				N
				N
				85
				2-4
				90
				5.8
				　
				　
				TO-220
        
				RU8590S
				N
				N
				85
				2-4
				90
				5.8
				　
				　
        
					TO-263
        
				Trench MOSFET
        N-MOSFET Catalog (VDS:N100V-N200V)
        Part NO.
				Channel
				ESD  Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃
				RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				10V
				4.5V
				2.5V
        
				RU1HE12L
				N
				Y
				100
				1.5-2.7
				12
				145
				160
				　
				TO-252
        
				RU1HE16L
				N
				Y
				100
				1.5-2.7
				16
				70
				85
				　
				TO-252
        
				RU1H35L
				N
				N
				100
				2-4
				40
				21
				　
				　
				TO-252
        
				RU1H35S
				N
				N
				100
				2-4
				40
				21
				　
				　
				TO-263
        
				RU1H35R
				N
				N
				100
				2-4
				40
				21
				　
				　
				TO-220
        
				RU3710S
				N
				N
				100
				2-4
				60
				14
				　
				　
				TO-263
        
				RU3710R
				N
				N
				100
				2-4
				60
				14
				　
				　
				TO-220
        
				RU1H180R
				N
				N
				100
				2-4
				180
				4.5
				　
				　
				TO-220
        
	 
        
                    
        
                        
        
                            
        
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        Tel: +86-769-21665206
        Fax: +86-769-21665256
        网址：www.chijijiaohuan.com
        总部地址:广东省东莞市万江街道华尔泰路2号五盈科技园5栋3楼
        经营产品：整流二极管、稳压二极管、LOW VF肖特基、肖特基/整流桥堆、碳化硅二极管、低压MOS、CooLMOS
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				Trench MOSFET
        
				P-MOSFET Catalog
        Part NO.
				Channel
				ESD Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				-10V
				-4.5V
				-2.5V
        
				RU3415EB
				P
				Y
				-20
				-1--0.4
				-4
				　
				38
				50
				SOT23
        
				RU20P7C
				P
				N
				-20
				-1.1--0.4
				-5
				　
				20
				30
				SOT23-3
        
				RU20P7C6
				P
				N
				-20
				-1.1--0.4
				-5
				　
				20
				30
				SOT23-6
        
				RU20P17M2
				P
				N
				-20
				-1.1--0.4
				-9.3
				　
				16
				28
				DFN3333
        
				RU20P3B
				P
				N
				-20
				-1--0.5
				-3
				　
				80
				110
				SOT23