mos管一般就是pmos，靠空穴流动运送电流的mos管。那要如何选择一个合适的mos管呢？

　　一、选择n沟道还是p沟道。在典型的功率应用中，mos管接地，负荷连接到干线电压时，该mos管管构成低压侧开关。在低压侧开关中，应采用n沟道mos管，这是关闭或导通部件所需的电压。mos管连接到总线和负荷接地时，请使用高压侧开关。通常在这个中采用p沟道的mos管，也是为了考虑电压驱动。选择适合应用的设备，必须确定驱动设备所需的电压和设计中比较简单的执行方法。

　　二、确定额定电流。根据电路结构，这个额定电流应该是所有情况下都能承受的较大电流。与电压状况类似，设计人员务必确保选用的mos管能够承种额定电流，即使系统产生尖峰电流。两个考虑的电流状况是连续模式和脉冲高峰。在连续导向模式下，mos管稳定，此时电流连续通过设备。脉冲尖峰是指大量电涌(或尖峰电流)流过设备。只要确定了这些条件下的较大电流，就可以直接选择能够承受这个较大电流的设备。

　　三、计算导通损失。实际上，mos管不是理想的设备。因为在导电过程中会产生电力损失，所以被称为导电损失。mos管在“导通”时像可变电阻，由设备的RDS(ON)决定，随着温度而显着变化。设备的功力消耗可以用Iload2×RDS(ON)计算，由于导通电阻随温度的变化，电力消耗也会按比例变化。对mos管施加的电压VGS越高，RDS(ON)越小，RDS(ON)越高。对于系统设计者来说，这是根据系统的电压需要折中权衡的地方。在便携式设计中，采用较低的电压更容易(更常见)，而对于工业设计，可以使用较高的电压。请注意RDS(ON)电阻随电流稍微上升。RDS(ON)电阻的各种电参数变化可以在制造商提供的技术资料表中找到。

　　四、确定热要求。设计人员必须考虑两种不同的情况，建议采用很不好的情况计算结果。因为这个结果提供了更大的安全馀量，所以系统不会失效。mos管的资料表上有需要注意的测量数据，例如包装部件的半导体结和环境之间的热阻和较大结温。

　　设备的结温等于环境温度极限和热阻和功率消耗的乘积(结温=较大环境温度+[热阻×功率消耗])。根据该方程可以解决系统的较大功率消耗，即根据定义相当于I2×RDS(ON)。设计者决定通过设备的较大电流，因此可以计算不同温度的RDS(ON)。值得注意的是，在处理简单的热模型时，设计者还必须考虑半导体结/设备外壳和外壳/环境的热容量，即印刷电路板和封装不会立即升温。

　　五、决定开关的性能。影响开关性能的参数有很多，但重要的是栅极/漏极、栅极/源和漏极/源极电容器。这些电容器在设备中产生开关损失。因为每次开关都要充电。mos管的开关速度下降，设备效率也下降。为了计算开关中设备的总损失，设计者必须计算开关中的损失(Eon)和关闭中的损失(Eoff)。MOSFET开关的总功率如下:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响非常大。

　　那么今天的讲解就先到这里了，以上就是今天的全部内容，相信大家对如何正确选择mos管也有了一定的认识。非常感谢您的耐心阅读。如还想了解更多关于mos管的相关问题，您可以拨打右上角的服务热线，与我们咨询。