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        碳化硅二极管的原料优势

          一般大伙儿常用的基本都是以硅为原材料的二极管,可是近期较为受欢迎的碳化硅二极管是用碳化硅为原材料的二极管。现阶段普遍的多见髙压的肖特基碳化硅二极管,其优势:反向恢复特点非常好,匹敌肖特基硅二极管。可是能够 做髙压的二极管。在PFC中现有较多运用。缺陷:正指导通压力降较为大。也有一点与硅二极管不一样的是其通断压力降随溫度升高反倒扩大。初期的碳化硅二极管,也有可承担冲击性电流量小,可信性不高缺陷。可是现阶段现有非常大改进。
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          碳化硅原材料以其出色的特性被制造行业列入第三代半导体器件,其击穿场强是硅的10倍,导热系数是硅的2.5倍。用碳化硅原材料制做的MOS元器件可在超过200度的高溫自然环境下工作中,碳化硅二极管具备非常低的开关损耗和高频率专业能力,减少控制模块的容积和净重,明显提升系统软件的高效率,有益于节能减排,广泛运用于风景发电量、太阳能发电逆变电源、UPS储能技术、新能源车、航天军工等新科技行业。
          碳化硅功率模块是全世界电力工程电子元器件知名企业现阶段关键的发展前景。碳化硅功率模块早已在一些高档行业完成了基本运用,包含高功率电磁能变换、性能卓越电机驱动器这些,并具备宽阔的应用前景和市场前景。在碳化硅功率模块行业,最先刚开始产品研发的是根据碳化硅输出功率二极管和硅基IGBT的混和功率模块。第一个完成商业的选用碳化硅二极管和硅基IGBT的高功率模块是Infineon企业的PrimePACK商品。
          碳化硅电力工程电子元器件在提升电磁能利用率和完成电力工程电子系统的微型化层面将充分发挥越来越大的优点。碳化硅电力工程电子元器件能提升电磁能运用的高效率,来完成电磁能损害的降低,由于相对性于硅元器件,碳化硅元器件在减少通断电阻器和减少开关损耗等层面具备优点。例如,由二极管和开关管构成的整流电路中,仅将二极管原材料由硅换为碳化硅,逆变电源的电磁能损害就可以减少15~30%上下,假如开关管原材料也换为SiC,则电磁能损害可减少一半之上。运用碳化硅制做的电力工程电子元器件具有三个能使电力工程转化器完成微型化的特点:高些的电源开关速率、更低的耗损和高些的操作温度。碳化硅元器件能以硅元器件多倍的速率开展电源开关。电源开关頻率越高,电感器和电容器等储能技术和滤波器构件就越非常容易完成微型化;电磁能损害减少,热值便会相对降低,因而可完成电力工程转化器的微型化;而在结温层面,硅元器件在200°C就做到了極限,而碳化硅元器件能在高些结柔和工作温度的状况下工作中,那样就可以变小或是省掉电力工程转化器的制冷组织 。
          上述所讲解的就是碳化硅二极管的原料优势,希望看完能够对您有所帮助,如果您想要了解更多关于碳化硅二极管的相关信息的话,欢迎在线咨询客服或是拨打本公司服务热线(网站右上角)进行咨询,我们将竭诚为您提供优质的服务!

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