肖特基二极管通称SBD，它并不是运用PN结基本原理制做的，它是以金属材料为正级，以N型半导体为负级，运用二者表面上产生的势垒具备整流器特点而做成的一种半导体元器件，是一种热载流子二极管，肖特基二极管在电源电路中主要是作整流二极管、续流二极管、维护二极管等，关键用在低压、大电流量的电源电路中，如电源变压器、软启动器、逆变电源、光纤通信。　　肖特基二极管是贵重金属（金、银、铝、铂等）A为正级，以N型半导体B为负级，运用二者表面上产生的势垒具备整流器特点而做成的金属材料-半导体元器件。由于N型半导体中存有着很多的电子器件，贵重金属中仅有少量的自由电荷，因此 电子器件便从浓度值高的B中往浓度值低的A中外扩散。

　　显而易见，金属材料A中沒有空化，也就不会有空化自A向B的外扩散健身运动。伴随着电子器件持续从B外扩散到A，B表层电子器件浓度值慢慢减少，表层电荷平衡被毁坏，因此就产生势垒，其电场方向为B→A。但在该静电场功效之中，A中的电子器件也会造成从A→B的飘移健身运动，进而消弱了因为外扩散健身运动而产生的静电场。当创建起一定总宽的空间电荷区后，静电场造成的电子器件飘移健身运动和浓度值不一样造成的电子器件外扩散健身运动做到相对性的均衡，便产生了肖特基势垒。

　　典型性的肖特基整流管的內部电源电路构造是以N型半导体为衬底，在上面产生用砷作掺杂剂的N-外延性层。阳极氧化应用钼或铝等原材料做成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来清除边沿地区的静电场，提升水管的抗压值。

　　N型衬底具备不大的通态电阻器，其夹杂浓度值较H-层要高100%倍。在衬底下面产生N+负极层，其功效是减少负极的回路电阻。根据优化结构主要参数，N型衬底和阳极氧化金属材料中间便产生肖特基势垒，如下图所示。当在肖特基势垒两边再加顺向偏压（阳极氧化金属材料插线正级，N型衬底插线负级）时，肖特基势垒层变小，其内电阻缩小；相反，若在肖特基势垒两边再加反方向偏压时，肖特基势垒层则变大，其内电阻增大。

　　上述所讲解的就是肖特基二极管咋电路中的应用，希望看完能够对您有所帮助，如果您想要了解更多关于肖特基二极管的相关信息的话，欢迎在线咨询客服或是拨打本公司服务热线（网站右上角）进行咨询，我们将竭诚为您提供优质的服务！