碳化硅二极管可以在更高的频率下工作，并且在相同的频率下具有更高的效率。此外，碳化硅二极管也具有正的温度系数，并且电阻随着温度的升高而逐渐增大，这与硅FRD正好相反。这使得碳化硅二极管非常适合并联连接，并提高了系统的安全性和可靠性。碳化硅二极管是一种集高压、高速、低功耗和耐高温于一体的理想器件。目前，世界上已成功开发出多种碳化硅器件。碳化硅SBD作为一种零恢复二极管，极大地改善了高频电源电路。碳化硅二极管独特的高温特性使其在高温环境下的电源应用中具有潜在优势。
碳化硅二极管更像是理想的开关，而不是PN结器件。肖特基二极管的两个最重要的性能指标是它们的低反向恢复电荷(Qrr)和恢复软化系数。碳化硅二极管也优于PN结器件，因为它们具有低正向导通电压和低导通损耗。碳化硅二极管也有两个缺点。首先，反向耐受电压VR相对较低，通常只有大约100伏；其次，反向漏电流IR相对较大。
碳化硅二极管的恢复时间短，温度对开关行为影响不大。标准工作温度范围为-55℃-175℃，更加稳定，大大降低了对散热器的要求。碳化硅二极管的主要优点是开关速度极快，没有反向恢复电流。与硅器件相比，它可以大大降低开关损耗，实现出色的能效。更快的开关速度也使制造商能够减小电磁线圈和相关无源元件的尺寸，从而提高组装效率，减轻系统重量并降低材料成本。
碳化硅二极管具有高导热率，能有效提高功率密度。导热系数越高，材料向环境传热的能力越强，器件的温升越小，越有利于提高功率器件的功率密度，因此更适合在高温环境下工作。碳化硅二极管的高击穿场强提高了耐压并减小了尺寸，高电子击穿场强提高了半导体功率器件的击穿电压。同时，由于电子击穿场强的增加，在增加杂质穿透密度的情况下，可以减小碳化硅二极管功率器件漂移区的宽带，从而可以减小功率器件的尺寸。
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