上海维安（WAYON），作为电路保护与功率控制解决方案的领先提供商，专注于电路保护元器件、功率半导体分立器件及模拟集成电路的设计、制造与销售。其中，其MOS管系列产品在行业内享有盛誉，特别是WMJ36N65F2、WMJ53N65F2及WMJ90N65SR这三款超结MOSFET，凭借其卓越的性能和广泛的应用领域，深受市场欢迎。以其出色的特性，成为众多电子工程师和设计师的理想选择。

WMJ36N65F2

WMJ36N65F2是一款N沟道超结MOSFET，专为高电压、高功率应用设计。其主要参数包括：

• 封装：TO-247，这种封装形式确保了良好的散热性能和机械强度，适合高功率应用。

• 漏源电压（VDS）：650V，表明其能承受高达650V的电压，适用于高压电路。

• 漏极电流（ID）：在25℃下可达36A，表明其在大电流条件下仍能稳定工作。

• 导通电阻（RDS(on)）：在VGS=10V时，仅为0.105Ω，低导通电阻有助于减少功耗，提高效率。

• 开启电压（VGS(th)）：典型值为4V，较低的开启电压意味着更低的驱动需求，适用于多种驱动电路。

WMJ36N65F2因其出色的电气特性和热稳定性，能够快速响应电路中的信号变化，从而提升整个系统的工作速度。广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器及太阳能逆变器等高电压、大电流场景。

WMJ53N65F2

WMJ53N65F2同样是上海维安推出的一款高性能N沟道超结MOSFET，其主要特点包括：

• 封装：同样采用TO-247封装，保证了良好的散热和机械性能。

• 漏源电压（VDS）：与WMJ36N65F2相同，均为650V，适用于高压环境。

• 电气特性：虽然具体参数可能因批次不同而略有差异，但整体性能与WMJ36N65F2相近，适合类似的应用场景。

在导通电阻方面，WMJ53N65F2 进一步优化，实现了更低的阻值，从而在大功率工作条件下依然能够保持高效的能量转换。其快速的开关速度和良好的热稳定性，使其在电源管理、电机驱动等领域表现出色。WMJ53N65F2凭借其优异的电气性能和稳定性，在电力电子领域有着广泛的应用，尤其是在需要高可靠性和高效率的电源系统中。

WMJ90N65SR

WMJ90N65SR作为维安MOS管系列中的高端产品，其性能参数更为突出：

• 漏极电流（ID）：在25℃下高达99A，远高于WMJ36N65F2和WMJ53N65F2，适用于更大电流的应用场景。

• 导通电阻（RDS(on)）：在VGS=10V时仅为0.03Ω，是这三款产品中最低的，进一步降低了导通损耗，提高了系统效率。

• 开启电压（VGS(th)）：典型值为3.5V，同样保持了较低的开启电压，便于驱动。

WMJ90N65SR凭借其高电流承载能力和极低的导通电阻，特别适用于对功率要求极高的应用：大功率电源、电动汽车充电站、工业逆变器等高要求的应用领域。

无论是 WMJ36N65F2、WMJ53N65F2 还是 WMJ90N65SR，上海维安在设计和制造过程中都严格遵循了高质量标准，确保了产品的稳定性和可靠性。这些 MOS 管不仅在性能上表现出色，而且在封装形式上也提供了多种选择，以满足不同客户的安装和使用需求。