SEMIHOW超结MOS一级代理商-东莞市美瑞电子有限公司联系人：153-3800-0102曾先生文章转载自充电头网，以下为全文：充电头网近日拆解了一款三星手机原装25WPD快充充电器，作为Note10、S10..
2020-12-12一、mos管的特点 1.mos管是电压控制器件，通过VGS(栅极电压)控制ID(漏电电流) 2.mos管的控制输入端电流极小，因此其输入电阻(10-10ω)大。 3.利用许多载流子导电，温度稳定性..
2020-12-02第一电路设计。让mos管工作在线性工作状态，而不是开关状态。如果用N-mos做开关，G电平电压要比电源高几V才能完全导通，P-mos则相反。不完全打开导致压降过大导致功耗，等效DC阻抗比较大，压降增大，所以..
2020-12-02高压超级结MOSFETHVSuperJunctionMOSFET）VoltagelevelPartNumberVDS(V)ID(A)25℃PD(W)25℃RDS(ON)(Ω)(VGS=10V)Qg(nC)(VG..
2020-11-20陈星弼（1931—2019），中国科学院院士、教授、博导，1952年毕业于同济大学电机系，毕业后在厦门大学电机系、南京工学院（现东南大学）无线电系担任助教。1956年到成都电讯工程学院（现电子科技大学）任教。1..
2020-11-10一、导通压力下降VF。VF是二极管正向导通时二极管两端的压降，通过二极管的电流越大，VF越大的二极管温度越高，VF越小。 二、反饱和漏电流IR。IR是指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，肖特基..
2020-11-07今天就来为大家讲解一下肖特基二极管的应用及优点。 一、应用 肖特基二极管的结构和特性使其适用于低压大电流输出场合的高频整流，甚高频(如X波段、C波段、S波段、Ku波段)的检测和混频，以及高速逻辑电路..
2020-10-27今天我们就一起来讲解一下肖特基二极管的优点。 一、由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，其正向导通门限电压及正向压降均小于PN结二极管(约低0.2V)。 二、由于肖特基二极管是一种多载流子导电器件，因此..
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