电源EMI是电子产品设计和使用中必须考虑的重要因素之一。通过采取有效的抑制措施和合理的设计方法,可以显著降低电源EMI对电子设备和系统的影响,提高产品的稳定性和可靠性。
2024-09-07900V MOSFET在高压、高效率的应用中具有广泛的用途,尤其适合工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电器和LED驱动等领域。
2024-09-05Super Junction MOSFET 超结MOS是一种高压功率器件,通常用于高效率的开关电源、逆变器、LED驱动器和工业电源等应用。
2024-09-05超结MOSFET适用于高压、大功率应用,具有较低的导通损耗和较好的高压性能。而氮化镓器件则在高频、高效的应用中表现出色,尤其适合快速开关和高频电路。选择哪种技术取决于具体的应用需求,如开关频率、效率要求、成本等..
2024-09-02IGBT单管是一种性能优异、结构简单的电力控制器件,适用于多种电力控制领域。随着技术的不断进步和应用需求的不断提高,IGBT单管的技术性能和应用范围也将不断得到提升和拓展。
2024-09-02碳化硅MOSFET因其优越的材料特性,成为高功率、高频、高效能电力电子应用中的关键元件。尽管目前成本较高,但随着技术的进步和市场的成熟,SiC MOSFET的应用前景非常广阔,特别是在电动汽车、可再生能源以及高..
2024-08-31泰科天润的碳化硅二极管以其优异的性能和可靠性,受到了市场的广泛认可和应用,是中国碳化硅功率器件领域的重要参与者之一。
2024-08-30维安超结MOS系列丰富多样,涵盖了不同电压等级和封装形式的产品,能够满足各种应用场景的需求。
2024-08-24