碳化硅内绝缘封装结构是通过多层绝缘、导热、和保护结构的集成，确保SiC器件在高压、高温、高功率条件下稳定运行。通过选择合适的材料和封装设计，可以最大程度地发挥碳化硅的高性能优势，使其广泛应用于电动汽车、工业电力..
2024-09-24中国大陆的超结MOSFET市场有多家厂商参与，各品牌在技术能力、产品应用领域和市场定位上各具特色。华润微、士兰微等品牌在国内市场具备广泛的影响力，具有成熟的产品线，而扬杰科技、闻泰科技等在特定应用领域也有其独特..
2024-09-24碳化硅二极管的制备方法，SiC二极管具有高耐压、低导通损耗、高温稳定性等优点，广泛应用于电力电子器件中。其制备过程主要涉及碳化硅材料的生长、掺杂、图形化工艺、金属化等步骤。
2024-09-24IGBT工作原理介绍-将MOSFET和BJT的优点结合在一起，在高效能电力电子应用中实现了高电流开关和低损耗操作。
2024-09-18国产沟槽型碳化硅MOSFET正式问世,此次碳化硅沟槽型MOSFET芯片制造技术的突破不仅填补了我国在该领域的技术空白，更为相关产业带来巨大的经济效益和技术提升。
2024-09-09东莞市美瑞电子有限公司，超结MOS（Super Junction MOSFET）产品中的099内阻与070，038内阻型号已实现大量出货，标志着美瑞在大功率半导体领域的夯实一步。
2024-09-09本文为您介绍超结MOSFET的生产工艺，和应用。超结MOS作为一种创新的半导体器件技术，通过其独特的超结结构设计，在降低导通电阻、提高开关速度、减小芯片体积、降低发热和提升效率等方面展现出显著优势。
2024-09-07900V MOSFET在高压、高效率的应用中具有广泛的用途，尤其适合工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电器和LED驱动等领域。
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