整流桥堆产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘塑料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。整流桥品种多：有扁形、圆形、方形、板凳形（分直插与贴片）等，有GPP与O/J结构之分。最大整流电..
2021-02-23半导体封测大厂日月光投控受惠接单畅旺，业内人士指出订单能见度已经看到第3季，预估今年获利可超过新台币300亿元创新高。苹果5G版iPhone出货强劲，日月光投控持续受惠相关芯片封测和芯片模组系统级封装（SiP）..
2021-02-03目前，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体受到广泛的关注，人们对SiC在新能源汽车、电力能源等大功率、高温、高压场合，以及GaN在快充领域的应用前景寄予厚望，学术界、投资界和产业界都认可其将..
2021-02-03虹扬推出39A650V，70A650VN沟道MOSFET
2021-01-19虹扬一级代理商：东莞市美瑞电子有限公司为您介绍桥堆：全桥由四只二极管组成，有四个引出脚。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”。贴片桥堆的推出背景：随..
2021-01-04一、mos雪崩失效分析(电压故障) 什么是mos雪崩失效？简而言之，雪崩故障(电压故障)，即我们常说的泄漏源之间的BVdss电压超过mos的额定电压，超过一定的能力，mos故障。mos在电源板上由母线电压..
2020-12-26为支持园区重点项目建设，2018年，和懋半导体（四川）有限公司（统懋半导体四川生产公司）与遂宁经开区光电产业园园区签订搬迁协议，整厂搬迁至西宁片区台商工业园，并投资新项目。2020年2月8日，该项目正式进场施工..
2020-12-23mos管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但在一般运用中，饱和泄漏电流IDSS切断电压Up，打开电压UT、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、极限消耗散功率PDSM和极限泄漏源电流IDSM。 一、..
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