稳压二极管由于其稳定作用广泛应用于许多电路均，如稳压电源、电子点火器、DC电平转换、限幅电路、过压保护电路、补偿电路等。稳压二极管的过压具有过高的电压和欠压保护。稳压二极管可以防止负载长时间处于低电压状态，..
2020-05-18碳化硅二极管是适用于功率半导体的革命性材料，其物理性能远远优于硅功率器件。关键特性包括基准开关性能、无反向恢复电流、温度对开关行为几乎没有影响以及标准工作温度范围为-55℃至175℃。碳化硅二极管采用结势垒..
2020-05-14肖特基二极管是以其发明者肖特基博士的名字命名的，SBD是肖特基二极管(SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体和N型半导体接触形成PN结的原理，而是利用金属-半导体接触形成金属-半导体结的原理。因此，SBD..
2020-05-08稳压二极管的结构与普通二极管相同，并且还有一个PN结。由于不同的制造工艺，当PN结处于反向击穿状态时，PN结不会被损坏(普通二极管的PN结会被损坏)，当使用稳压二极管来稳定电压时，利用这种击穿特性。通常，当..
2020-05-06与PN结器件相比，碳化硅二极管更像是一种理想的开关。肖特基二极管最重要的两个性能指标是其低反向恢复电荷(Qrr)和恢复软化系数。当二极管电压变为反向偏置时，低Qrr大大缩短了关断过程所需的时间，即反向恢复时..
2020-04-27肖特基二极管是一种低功耗、超高速的半导体器件。它的反向恢复时间非常短(可以小到几纳秒)，正向导通电压降仅为0.4V左右.大多数用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管和保护二极管。它们也用作微波通信电路..
2020-04-22稳压二极管伏安特性曲线的正向特性与普通二极管相似，反向特性是反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻大，反向漏电流极小。然而，当反向电压接近反向电压的临界值时，反向电流突然增加，这被称为击穿。在这个临界击穿点，..
2020-04-20lowvf肖特基二极管是一种正向压降比普通肖特基二极管低的半导体器件。它可以理解为性能更好、压降更低的升级肖特基二极管。因此，lowvf肖特基二极管的压降越低，效率越高。因此，电压降越低，发热越低，lowv..
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