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绿星MOS DG100N02Q DFN5*6

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采用第三代DG-FET制程，DG-FET系列具有高速开关速度，业界优异的Ron-Crss表现。

由于具有缓冲效应，DG-FET系列可以抑制，比SuperTrench系列更有效地切换噪音和振铃。

RDS（on）导通电阻比其他同类元件至少降低50%，闸电荷（Qg）比其他装置少50%

20V至250V规格，可在各式电源与电机驱动中实现更高效率。

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采用第三代DG-FET制程，DG-FET系列具有高速开关速度，业界优异的Ron-Crss表现。

由于具有缓冲效应，DG-FET系列可以抑制，比SuperTrench系列更有效地切换噪音和振铃。

RDS（on）导通电阻比其他同类元件至少降低50%，闸电荷（Qg）比其他装置少50%

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Tel: +86-769-21665206

Fax: +86-769-21665256

网址：www.chijijiaohuan.com

总部地址:广东省东莞市万江街道华尔泰路2号五盈科技园5栋3楼

经营产品：整流二极管、稳压二极管、LOW VF肖特基、肖特基/整流桥堆、碳化硅二极管、低压MOS、CooLMOS

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