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        绿星MOS DG100N02PB(DG FET)

        绿星MOS DG100N02PB(DG FET)

        产品详情

        绿星MOS DG100N02PB TO-220AB

        silicongear使用第三代DG-FET工艺,DG-FET系列具有高速开笑速度,业界杰出的Ron-Crss性能。

        绿星电子致力于通过不断开发新电源半导体技术,产品和创新解决方案,为客户提供卓越的设计,制造和响应能力。我们通过满足其产品特定需求,为客户带来受益的产品。

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