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扬杰IGBT单管产品系列

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产品详情

扬杰IGBT单管
Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=125℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
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扬杰IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，它结合了双极型（BJT）和场效应晶体管（FET）的特性。

IGBT单管在现代电力电子和功率电子领域中被广泛应用，因为它具有高效率、高速度和高功率密度等优点。

IGBT单管的核心是一个PNP结构的双极型晶体管，其控制端有一个与之隔绝的栅极。这个栅极可以通过施加电压来控制电流的流动，

从而实现对器件的开关控制。因为栅极与电流隔离，所以它具有场效应晶体管的高输入阻抗特性，同时也具有双极型晶体管的高电流驱动能力。

IGBT单管的主要优点包括：

高效率：IGBT单管的导通压降较低，因此能够减少功率损耗，提高系统的效率。
高速度：由于具有FET的控制特性，IGBT单管的开关速度较快，适用于高频应用。
高功率密度：IGBT单管具有较高的功率密度，可以实现在小尺寸器件中传输大功率。
可靠性高：相对于其他功率器件，IGBT单管具有较高的可靠性和稳定性，适用于各种工作环境。

总的来说，IGBT单管在工业、交通、能源等领域扮演着重要的角色，为各种功率电子应用提供了高效、可靠的解决方案。

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扬杰IGBT单管
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扬杰IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种功率半导体器件，它结合了双极型（BJT）和场效应晶体管（FET）的特性。

IGBT单管在现代电力电子和功率电子领域中被广泛应用，因为它具有高效率、高速度和高功率密度等优点。

IGBT单管的核心是一个PNP结构的双极型晶体管，其控制端有一个与之隔绝的栅极。这个栅极可以通过施加电压来控制电流的流动，

从而实现对器件的开关控制。因为栅极与电流隔离，所以它具有场效应晶体管的高输入阻抗特性，同时也具有双极型晶体管的高电流驱动能力。

IGBT单管的主要优点包括：

高效率：IGBT单管的导通压降较低，因此能够减少功率损耗，提高系统的效率。
高速度：由于具有FET的控制特性，IGBT单管的开关速度较快，适用于高频应用。
高功率密度：IGBT单管具有较高的功率密度，可以实现在小尺寸器件中传输大功率。
可靠性高：相对于其他功率器件，IGBT单管具有较高的可靠性和稳定性，适用于各种工作环境。

总的来说，IGBT单管在工业、交通、能源等领域扮演着重要的角色，为各种功率电子应用提供了高效、可靠的解决方案。

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